عرض بسيط للتسجيلة

المؤلفEl-Kawni, M. I.
المؤلفIlaiwi, K. F.
تاريخ الإتاحة2009-11-25T15:11:50Z
تاريخ النشر1997
اسم المنشورQatar University Science Journal
الاقتباسQatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230.
معرّف المصادر الموحدhttp://hdl.handle.net/10576/9625
الملخصVariational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.
اللغةen
الناشرQatar University
الموضوعPhysics
الفيزياء
العنوانEffects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
النوعArticle
الصفحات225-230
رقم العدد2
رقم المجلد17
الملخص البديلاستخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .


الملفات في هذه التسجيلة

Thumbnail

هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية

عرض بسيط للتسجيلة