Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction

Author	El-Kawni, M. I.
Author	Ilaiwi, K. F.
Available date	2009-11-25T15:11:50Z
Publication Date	1997
Publication Name	Qatar University Science Journal
Citation	Qatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230.
URI	http://hdl.handle.net/10576/9625
Abstract	Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.
Language	en
Publisher	Qatar University
Subject	Physics الفيزياء
Title	Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
Type	Article
Pagination	225-230
Issue Number	2
Volume Number	17
Alternative Abstract	استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .