عرض بسيط للتسجيلة

المؤلفIsmail, Raid A. [رائد عبدالوهاب إِسماعيل]
تاريخ الإتاحة2009-11-25T15:31:58Z
تاريخ النشر2005
اسم المنشورQatar University Science Journal
الاقتباسQatar University Science Journal, 2005, Vol. 25, Pages 40-45.
معرّف المصادر الموحدhttp://hdl.handle.net/10576/10272
الملخصIn this paper we present experimental investigation of band lineup of near ideal PbS/Si heterojunction diode using I-V and C-V measurements. The C-V measurements show that the fabricated diodes were abrupt type, and the built-in potential Vui wds determined from C-2-V plot. The band offsets of A,Ec: 0.15 eV and A,Ev:0.55 eV were calculated at 300 K for conduction and valence bands, respectively. The energy band diagram of n-PbS/p-Si heterojunction was constructed. I-V measurements of different temperatures near 300K were employed to frnd the potential barrier to electron transport process across the junction.
اللغةen
الناشرQatar University
الموضوعPhysics
الفيزياء
العنوانExperimental Investigation of the N-Pbs/P-Si Heterojunction Band Lineup with I-V and C-V Measurements
العنوان البديلبناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني ................
النوعArticle
الصفحات40-45
رقم المجلد25
الملخص البديلفي هذا البحث تم بناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني نوع PbS/Si من خلال قياسات تيار – جهد وسعة – جهد . أوضحت قياسيات سعة – جهد أن الديودات المصنعة من النوع الحاد ونم تحديد مقدار جهد البناء الداخلي من خلال المنحني (1/C2) –V . كان مقدارEc Δ بحدود 0.15 eV ومقدار Δ Ev=0.55eV حيث تم حسابهما عند درجة حرارة الغرفة. تمت دراسة خصائص تيار – جهد عند درجات حرارة قريبة من درجة حرارة الغرفة لإيجاد حاجز الجهد لعملية انتقال الالكترونيات خلال منطقة الاتصال
dc.accessType Open Access


الملفات في هذه التسجيلة

Thumbnail

هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية

عرض بسيط للتسجيلة