عرض بسيط للتسجيلة

Photoresponse of silicon with asymmetric area contacts

المؤلفRabbani, M. Golam
المؤلفSundararajan, Jency P.
المؤلفVerma, Amit
المؤلفNekovei, Reza
المؤلفKhader, Mahmoud M.
المؤلفDarling, R. B.
المؤلفPatil, Sunil R.
تاريخ الإتاحة2024-06-05T06:13:49Z
تاريخ النشر2016-12-01
اسم المنشورSemiconductor Science and Technology
المعرّفhttp://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/32/1/015001
الاقتباسRabbani, M. G., Sundararajan, J. P., Verma, A., Nekovei, R., Khader, M. M., Darling, R. B., & Patil, S. R. (2016). Photoresponse of silicon with asymmetric area contacts. Semiconductor Science and Technology, 32(1), 015001.
الرقم المعياري الدولي للكتاب0268-1242
معرّف المصادر الموحدhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85007240175&origin=inward
معرّف المصادر الموحدhttp://hdl.handle.net/10576/55829
الملخصWe report on high performance metal-semiconductor-metal (MSM) photosensors based on asymmetric metal pad areas. The reported devices require a single-step metal deposition, and exhibit large photo response even under zero-bias. Moreover the devices offer fast and stable light switching behavior. Device fabrication and electrical characterization results are presented that are further analyzed with TCAD modeling and simulation. Device simulations show that contact asymmetry along with surface recombination and barrier lowering plays an important role in the MSM I-V characteristics.
راعي المشروعThis publication was made possible by the NPRP award [NPRP 5-968-2-403] from the Qatar National Research Fund (a member of The Qatar Foundation).
اللغةen
الناشرInstitute of Physics Publishing
الموضوعasymmetric contact
MSM
photosensor
TCAD modeling
العنوانPhotoresponse of silicon with asymmetric area contacts
النوعArticle
رقم العدد1
رقم المجلد32
ESSN1361-6641
dc.accessType Abstract Only


الملفات في هذه التسجيلة

الملفاتالحجمالصيغةالعرض

لا توجد ملفات لها صلة بهذه التسجيلة.

هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية

عرض بسيط للتسجيلة