Show simple item record

AuthorIsmail, Abdulwahab Raid [عبد الوهاب رائد اسماعيل]
Available date2009-11-25T15:17:28Z
Publication Date2002
Publication NameQatar University Science Journal
CitationQatar University Science Journal, 2002, Vol. 22, Pages 73-80.
URIhttp://hdl.handle.net/10576/9842
AbstractThis paper describes the effect of classical thermal (CTA) and rapid thermal annealing (RTA) on the electrical characteristics (I-V, C-V) of isotype Ge/Si heterojunction. The I-V characteristics were improved after annealing and they follow double-Schottky model, the optimum value of ideality factor was 1.2 for heterojunctions annealed by CTA (600 C/20 min), and was 1.3 for samples undergo to RTA (500 C/25 S). The C-V results suggest that the junctions are abrupt type. The effect of annealing type and annealing conditions on the built-in-voltage (Vbi) was investivated.
Languageen
PublisherQatar University
SubjectPhysics
الفيزياء
TitleStudy The Effect of Classical And Rapid Thermal Annealing on The Electrical Characteristics of P-Ge/P-si Heterojunction
Alternative Titleدراسة التأثيرات العادية والسريعة للتلدين الحراري على الخصائص الكهربائية للمفرق الجيني المتماثل
TypeArticle
Pagination73-80
Volume Number22
Alternative Abstractفي هذا البحث تمت دراسة تأثير كل من التلدين الحراري التقليدي والتلدين الحراري السريع على الخصائص الكهربائية (تيار- جهد، سعة - جهد) للمفرق الهجيني المتماثل من نوع Ge/Si . إن خصائص تيار جهد للمفرق الهجيني قد تحسنت بعد التلدين وأن التيار الأمامي يخضع لأنموذج ثنائي شوتكي ، إن أفضل قيمة لعامل المثالية كان بحدود 2، 1 للعينات الملدنة بواسطة التلدين الحراري التقليدي (600 c/20 min)وكان 1.3 للعينات الملدنة بالتلدين الحراري السريع (500 c/25 s) . إن خصائص سعة - جهد أوضحت أن المفرق الهجيني من النوع الحاد، وقد تمت دراسة تأثير كل من نوع وظروف التلدين على مقدار جهد البناء الداخلي Vbi.
dc.accessType Open Access


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record