Study The Effect of Classical And Rapid Thermal Annealing on The Electrical Characteristics of P-Ge/P-si Heterojunction
| Author | Ismail, Abdulwahab Raid [عبد الوهاب رائد اسماعيل] |
| Available date | 2009-11-25T15:17:28Z |
| Publication Date | 2002 |
| Publication Name | Qatar University Science Journal |
| Citation | Qatar University Science Journal, 2002, Vol. 22, Pages 73-80. |
| Abstract | This paper describes the effect of classical thermal (CTA) and rapid thermal annealing (RTA) on the electrical characteristics (I-V, C-V) of isotype Ge/Si heterojunction. The I-V characteristics were improved after annealing and they follow double-Schottky model, the optimum value of ideality factor was 1.2 for heterojunctions annealed by CTA (600 C/20 min), and was 1.3 for samples undergo to RTA (500 C/25 S). The C-V results suggest that the junctions are abrupt type. The effect of annealing type and annealing conditions on the built-in-voltage (Vbi) was investivated. |
| Language | en |
| Publisher | Qatar University |
| Subject | Physics الفيزياء |
| Alternative Title | دراسة التأثيرات العادية والسريعة للتلدين الحراري على الخصائص الكهربائية للمفرق الجيني المتماثل |
| Type | Article |
| Pagination | 73-80 |
| Volume Number | 22 |
| Alternative Abstract | في هذا البحث تمت دراسة تأثير كل من التلدين الحراري التقليدي والتلدين الحراري السريع على الخصائص الكهربائية (تيار- جهد، سعة - جهد) للمفرق الهجيني المتماثل من نوع Ge/Si . إن خصائص تيار جهد للمفرق الهجيني قد تحسنت بعد التلدين وأن التيار الأمامي يخضع لأنموذج ثنائي شوتكي ، إن أفضل قيمة لعامل المثالية كان بحدود 2، 1 للعينات الملدنة بواسطة التلدين الحراري التقليدي (600 c/20 min)وكان 1.3 للعينات الملدنة بالتلدين الحراري السريع (500 c/25 s) . إن خصائص سعة - جهد أوضحت أن المفرق الهجيني من النوع الحاد، وقد تمت دراسة تأثير كل من نوع وظروف التلدين على مقدار جهد البناء الداخلي Vbi. |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
Qatar University Science Journal - [From 1981 TO 2007] [770 items ]