عرض بسيط للتسجيلة

المؤلفHo, V. X.
المؤلفAl Tahtamouni, T. M.
المؤلفWang, Y.
المؤلفJiang, H. X.
المؤلفLin, J. Y.
المؤلفZavada, J. M.
المؤلفVinh, N. Q.
تاريخ الإتاحة2023-08-28T08:00:15Z
تاريخ النشر2018-01-01
اسم المنشورOptics InfoBase Conference Papers
المعرّفhttp://dx.doi.org/10.1364/ASSL.2018.ATu4A.2
الاقتباسHo, V. X., Al Tahtamouni, T. M., Wang, Y., Jiang, H. X., Lin, J. Y., Zavada, J. M., & Vinh, N. Q. (2018, November). Telecommunication-Wavelength Lasing in Er-doped GaN Multiple Quantum Wells at Room Temperature. In Advanced Solid State Lasers (pp. ATu4A-2). Optica Publishing Group.‏
الترقيم الدولي الموحد للكتاب 9781943580484
معرّف المصادر الموحدhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85059482485&origin=inward
معرّف المصادر الموحدhttp://hdl.handle.net/10576/46827
الملخصWe report the realization of room-temperature, stimulated-emission in Er-doped-GaN multiple-quantum-wells at the 1.5-µm. Structures were grown by MOCVD and lasing was confirmed by threshold-behaviors of emission-intensity as functions of pump-fluence, spectral-linewidth-narrowing, excitation-length.
راعي المشروعN.Q.V. acknowledges the support from NSF (ECCS-1358564). The materials growth effort at TTU was supported by JTO/ARO (W911NF-12-1-0330
اللغةen
الناشرOSA - The Optical Society
الموضوعSolid state lasers
العنوانTelecommunication-wavelength lasing in er-doped gan multiple quantum wells at room temperature
النوعConference Paper
رقم المجلدPart F121-ASSL 2018
dc.accessType Abstract Only


الملفات في هذه التسجيلة

الملفاتالحجمالصيغةالعرض

لا توجد ملفات لها صلة بهذه التسجيلة.

هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية

عرض بسيط للتسجيلة