عرض بسيط للتسجيلة

Effect of the length of silicon nano-dot/wire on band gap

المؤلفHassan, Walid M.I.
المؤلفVerma, Amit
المؤلفNekovei, Reza
المؤلفKhader, Mahmoud M.
المؤلفAnantram, M. P.
تاريخ الإتاحة2024-06-05T09:08:18Z
تاريخ النشر2014-08
اسم المنشورProceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology
المعرّفhttp://dx.doi.org/10.1109/NANO.2014.6968131
الاقتباسHassan, W. M., Verma, A., Nekovei, R., Khader, M. M., & Anantram, M. P. (2014, August). Effect of the length of silicon nanodot/wire on band gap. In 14th IEEE International Conference on Nanotechnology (pp. 373-376). IEEE.
الرقم المعياري الدولي للكتاب1944-9399
معرّف المصادر الموحدhttps://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84919472328&origin=inward
معرّف المصادر الموحدhttp://hdl.handle.net/10576/55835
الملخصWe will report on the role of the length of silicon nanowire (SNW) in determining the band gap of a structure. We find that the band gap decreases with SNW length for the same diameter and approaches the band gap for an ideal infinitely long SNW. The H/T atomic ratio can be used to express the S/V ratio, which is approximately linearly related to band gap value.
اللغةen
الناشرInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc. (IEEE)
الموضوعBandgap
Length
Silicon nanowire
Theoretical
العنوانEffect of the length of silicon nano-dot/wire on band gap
النوعConference Paper
الصفحات373-376
الترقيم الدولي الموحد للكتاب (إلكتروني) 978-1-4799-5622-7


الملفات في هذه التسجيلة

Thumbnail
الاسم:
Effect_of_the_length_of_silico ...
الحجم:
386.4Kb
الصيغة:
PDF
عرض / فتح

هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية

عرض بسيط للتسجيلة