Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
المؤلف | El-Kawni, M. I. |
المؤلف | Ilaiwi, K. F. |
تاريخ الإتاحة | 2009-11-25T15:11:50Z |
تاريخ النشر | 1997 |
اسم المنشور | Qatar University Science Journal |
الاقتباس | Qatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230. |
الملخص | Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented. |
اللغة | en |
الناشر | Qatar University |
الموضوع | Physics الفيزياء |
النوع | Article |
الصفحات | 225-230 |
رقم العدد | 2 |
رقم المجلد | 17 |
الملخص البديل | استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز . |
الملفات في هذه التسجيلة
هذه التسجيلة تظهر في المجموعات التالية
-
مجلة جامعة قطر للعلوم - [من 1981 الى 2007] [770 items ]