Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
| Author | El-Kawni, M. I. |
| Author | Ilaiwi, K. F. |
| Available date | 2009-11-25T15:11:50Z |
| Publication Date | 1997 |
| Publication Name | Qatar University Science Journal |
| Citation | Qatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230. |
| Abstract | Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented. |
| Language | en |
| Publisher | Qatar University |
| Subject | Physics الفيزياء |
| Type | Article |
| Pagination | 225-230 |
| Issue Number | 2 |
| Volume Number | 17 |
| Alternative Abstract | استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز . |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
Qatar University Science Journal - [From 1981 TO 2007] [770 items ]