Study The Effect of Classical And Raipd Thermal Annealing on The Electrical Characteristics of P-Ge/P-si Hetero junction

Abstract

This paper describes the effect of classical thermal (CTA) and rapid thermal annealing (RTA) on the electrical characteristics (I-V, C-V) of isotype Ge/Si heterojunction. The I-V characteristics were improved after annealing and they follow double-Schottky model, the optimum value of ideality factor was 1.2 for heterojunctions annealed by CTA (600 C/20 min), and was 1.3 for samples undergo to RTA (500 C/25 S). The C-V results suggest that the junctions are abrupt type. The effect of annealing type and annealing conditions on the built-in-voltage (Vbi) was investivated.

في هذا البحث تمت لمراسة تأثير كل من المتلدين الحراري التقليدي والتلدين الحراري السريع على الخصائمى الكهرباثية (تيار- جهد، سعة - جهد) للمفسق الهجيني المتماثل من ثو Ge/Si g. إن خصائمى تيار جهد للمفصق الهجيني قد تحسنت بعد التلدين وأن القيار الأمامي يخضع لأنمونج ثنائي شوتكي ، إن أفض قيمة لعامل المثالية كان بحدود 2، 1 سعينات الملدنة بواسطة التلدين الحراري التقليدي ( 600 c/20 min ) وكان 3، 1 سحينات الملدنة بالتلدين الحراري السريع ( 500 c/25 s )- إن خصائصى سعة - جهد أوضحت أن المفسق الهجيني من النوع الحاد، وقد تض لمحراسة تأثير كل من نوع وشوف التلدين على مقدارجهد البنا ? lnl خلي أء 7.