• English
    • العربية
  • English
  • تسجيل الدخول
  • جامعة قطر
  • مكتبة جامعة قطر
  •  الصفحة الرئيسية
  • الوحدات والمجموعات
  • المساعدة
    • إرسال الأعمال الأكاديمية
    • سياسات الناشر
    • أدلة المستخدم
    • الأسئلة الأكثر تكراراً
  • عن المستودع الرقمي
    • الرؤية والرسالة
عرض التسجيلة 
  •   مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر
  • المستودع الرقمي لجامعة قطر
  • أكاديمية
  • رسائل الماجستير وأطروحات الدكتوراه
  • كلية الآداب والعلوم
  • علم وتكنولوجيا المواد
  • عرض التسجيلة
  • مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر
  • المستودع الرقمي لجامعة قطر
  • أكاديمية
  • رسائل الماجستير وأطروحات الدكتوراه
  • كلية الآداب والعلوم
  • علم وتكنولوجيا المواد
  • عرض التسجيلة
  •      
  •  
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Surface characterization and luminescence properties of AlN doped with RE elements (Sm, Ho, Gd, Tm)

    Thumbnail
    عرض / فتح
    Thesis for Degree of Master of Science (6.226Mb)
    Thesis for Degree of Master of Science-committee page (46.85Kb)
    التاريخ
    2015-06
    المؤلف
    Balogun, Ismail Ayodele
    البيانات الوصفية
    عرض كامل للتسجيلة
    الملخص
    Rare‐ earth (RE)‐doped III‐nitride broad band‐gap semiconductors have attracted enormous interest as a foundation for optoelectronics devices, which combine the unique luminescence feature of Rare‐earth ions with the electronic properties of the semiconductors. Recent progress toward nitride‐based light emitting diode and light emitting due to electric current devices have been made using crystalline and amorphous AlN and GaN doped with a different lanthanide elements. The Rare‐earth ions’ electronic structures are differ from the other elements and are unique due to an incompletely filled 4Fn shell. The 4F‐orbital electrons lay inside the ion and are protected from the surroundings by the filled 5S2 and 5P6 electron orbitals. When these rare‐earths doped are excited by any external means, intense sharp‐line emission is observed due to intra‐4Fn shells transitions of the rare‐earth ion core. In the present work, sputtered deposited thin films of AlN doped with rare‐earth elements (Sm, Ho, Gd, Tm) are investigated for their structures, luminescence and spectroscopic properties. Thin films were deposited at various temperatures. X‐ray diffraction (XRD) analysis was performed for structural analysis and crystallite size calculation in crystalline films. Scanning electron microscopy was also used to confirm the information obtained from XRD. Luminescence and spectroscopic analysis were performed using photoluminescence tool and Fourier transform infra‐red. The effect of the temperature on the surface morphology and luminescence properties was also studied. Energy dispersive x‐ray analysis was performed on the films to find the constituents and impurities in the samples. Atomic force microscopy was also used for determination of surface roughening, and thermal gravimetric analysis was used to investigate loss of mass of the samples over a range of temperature. This work provides investigations of these materials for their use in photonic and microelectronic devices.
    DOI/handle
    http://hdl.handle.net/10576/3836
    المجموعات
    • علم وتكنولوجيا المواد [‎63‎ items ]

    entitlement


    مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر هو مكتبة رقمية تديرها مكتبة جامعة قطر بدعم من إدارة تقنية المعلومات

    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك
    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك | جامعة قطر

     

     

    الصفحة الرئيسية

    أرسل عملك التابع لجامعة قطر

    تصفح

    محتويات مركز المجموعات الرقمية
      الوحدات والمجموعات تاريخ النشر المؤلف العناوين الموضوع النوع اللغة الناشر
    هذه المجموعة
      تاريخ النشر المؤلف العناوين الموضوع النوع اللغة الناشر

    حسابي

    تسجيل الدخول

    إحصائيات

    عرض إحصائيات الاستخدام

    عن المستودع الرقمي

    الرؤية والرسالة

    المساعدة

    إرسال الأعمال الأكاديميةسياسات الناشرأدلة المستخدمالأسئلة الأكثر تكراراً

    مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر هو مكتبة رقمية تديرها مكتبة جامعة قطر بدعم من إدارة تقنية المعلومات

    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك
    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك | جامعة قطر

     

     

    Video