• English
    • العربية
  • English
  • تسجيل الدخول
  • جامعة قطر
  • مكتبة جامعة قطر
  •  الصفحة الرئيسية
  • الوحدات والمجموعات
عرض التسجيلة 
  •   مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر
  • المستودع الرقمي لجامعة قطر
  • أكاديمية
  • مساهمة أعضاء هيئة التدريس
  • كلية الآداب والعلوم
  • الكيمياء وعلوم الأرض
  • عرض التسجيلة
  • مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر
  • المستودع الرقمي لجامعة قطر
  • أكاديمية
  • مساهمة أعضاء هيئة التدريس
  • كلية الآداب والعلوم
  • الكيمياء وعلوم الأرض
  • عرض التسجيلة
  •      
  •  
    JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

    Formation of arsenic sulfide on GaAs surface under illumination in acidified thiourea electrolytes

    Thumbnail
    عرض / فتح
    اصدار الناشر (بإمكانك الوصول وعرض الوثيقة / التسجيلةمتاح للجميع Icon)
    اصدار الناشر (تحقق من خيارات الوصول)
    تحقق من خيارات الوصول
    التاريخ
    2011
    المؤلف
    Khader, Mahmoud M.
    Aljaber, Amina S.
    البيانات الوصفية
    عرض كامل للتسجيلة
    الملخص
    The present article reports the formation of arsenic sulfide films on GaAs by the potentiodynamic polarization in acidified thiourea (TU) electrolytes under photo-illumination. Oxidation of TU competes with the oxidation of GaAs itself and leads to the formation of surface arsenic-sulfide films. Surface chemical composition is investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), demonstrating the formation of As-sulfide as the XPS peaks at binding energies of 42.6 and 162.5 eV for As 3d and S 2p, respectively, are observed. XPS results also show diminishing of Ga species from the surface while As-sulfide is forming. Though, As-sulfide is predominantly formed on the surface, but the inductive coupling plasma-mass spectroscopy (ICP-MS) analysis still shows a preferential dissolution of As ions into electrolytes. These results indicate that Ga ions diffuse into the bulk of the electrode material. The formation of As-sulfide, initially, enhances the photocurrent generation; presumably, due to suppressing electron-hole recombination processes. Further deposition of As-sulfide deteriorates GaAs photoactivity due to retarding light absorptivity because of depositing a thick As-sulfide film. The morphology of the As-sulfide film is characterized by scanning electron microscopy (SEM) that shows the formation of smooth and nonporous films in TU electrolytes acidified by H2SO4 of concentration ≥0.2 M. Electrochemical impedance measurements show that GaAs corrosion is limited by the growth and oxidation of the sulfide layer.
    DOI/handle
    http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.08.007
    http://hdl.handle.net/10576/53398
    المجموعات
    • الكيمياء وعلوم الأرض [‎601‎ items ]

    entitlement


    مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر هو مكتبة رقمية تديرها مكتبة جامعة قطر بدعم من إدارة تقنية المعلومات

    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك
    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك | جامعة قطر

     

     

    الصفحة الرئيسية

    أرسل عملك التابع لجامعة قطر

    تصفح

    محتويات مركز المجموعات الرقمية
      الوحدات والمجموعات تاريخ النشر المؤلف العناوين الموضوع النوع اللغة الناشر
    هذه المجموعة
      تاريخ النشر المؤلف العناوين الموضوع النوع اللغة الناشر

    حسابي

    تسجيل الدخول

    إحصائيات

    عرض إحصائيات الاستخدام

    مركز المجموعات الرقمية لجامعة قطر هو مكتبة رقمية تديرها مكتبة جامعة قطر بدعم من إدارة تقنية المعلومات

    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك
    اتصل بنا | ارسل ملاحظاتك | جامعة قطر

     

     

    Video