Experimental Investigation of the N-Pbs/P-Si Heterojunction Band Lineup with I-V and C-V Measurements

Show simple item record

Author Ismail, Raid A. [رائد عبدالوهاب إِسماعيل] en_US
Available date 2009-11-25T15:31:58Z en_US
Publication Date 2005 en_US
Publication Name Qatar University Science Journal
Citation Qatar University Science Journal, 2005, Vol. 25, Pages 40-45. en_US
URI http://hdl.handle.net/10576/10272 en_US
Abstract In this paper we present experimental investigation of band lineup of near ideal PbS/Si heterojunction diode using I-V and C-V measurements. The C-V measurements show that the fabricated diodes were abrupt type, and the built-in potential Vui wds determined from C-2-V plot. The band offsets of A,Ec: 0.15 eV and A,Ev:0.55 eV were calculated at 300 K for conduction and valence bands, respectively. The energy band diagram of n-PbS/p-Si heterojunction was constructed. I-V measurements of different temperatures near 300K were employed to frnd the potential barrier to electron transport process across the junction. en_US
Language en en_US
Publisher Qatar University en_US
Subject Physics en_US
Subject الفيزياء ar
Title Experimental Investigation of the N-Pbs/P-Si Heterojunction Band Lineup with I-V and C-V Measurements en_US
Alternative Title بناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني ................ ar
Type Article en_US
Pagination 40-45 en_US
Volume Number 25 en_US
Alternative Abstract في هذا البحث تم بناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني نوع PbS/Si من خلال قياسات تيار – جهد وسعة – جهد . أوضحت قياسيات سعة – جهد أن الديودات المصنعة من النوع الحاد ونم تحديد مقدار جهد البناء الداخلي من خلال المنحني (1/C2) –V . كان مقدارEc Δ بحدود 0.15 eV ومقدار Δ Ev=0.55eV حيث تم حسابهما عند درجة حرارة الغرفة. تمت دراسة خصائص تيار – جهد عند درجات حرارة قريبة من درجة حرارة الغرفة لإيجاد حاجز الجهد لعملية انتقال الالكترونيات خلال منطقة الاتصال


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record