Show simple item record

AuthorIsmail, Raid A. [رائد عبدالوهاب إِسماعيل]
Available date2009-11-25T15:31:58Z
Publication Date2005
Publication NameQatar University Science Journal
CitationQatar University Science Journal, 2005, Vol. 25, Pages 40-45.
URIhttp://hdl.handle.net/10576/10272
AbstractIn this paper we present experimental investigation of band lineup of near ideal PbS/Si heterojunction diode using I-V and C-V measurements. The C-V measurements show that the fabricated diodes were abrupt type, and the built-in potential Vui wds determined from C-2-V plot. The band offsets of A,Ec: 0.15 eV and A,Ev:0.55 eV were calculated at 300 K for conduction and valence bands, respectively. The energy band diagram of n-PbS/p-Si heterojunction was constructed. I-V measurements of different temperatures near 300K were employed to frnd the potential barrier to electron transport process across the junction.
Languageen
PublisherQatar University
SubjectPhysics
Subjectالفيزياء
TitleExperimental Investigation of the N-Pbs/P-Si Heterojunction Band Lineup with I-V and C-V Measurements
Alternative Titleبناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني ................
TypeArticle
Pagination40-45
Volume Number25
Alternative Abstractفي هذا البحث تم بناء المخطط الطاقي للمفرق الهجيني نوع PbS/Si من خلال قياسات تيار – جهد وسعة – جهد . أوضحت قياسيات سعة – جهد أن الديودات المصنعة من النوع الحاد ونم تحديد مقدار جهد البناء الداخلي من خلال المنحني (1/C2) –V . كان مقدارEc Δ بحدود 0.15 eV ومقدار Δ Ev=0.55eV حيث تم حسابهما عند درجة حرارة الغرفة. تمت دراسة خصائص تيار – جهد عند درجات حرارة قريبة من درجة حرارة الغرفة لإيجاد حاجز الجهد لعملية انتقال الالكترونيات خلال منطقة الاتصال


Files in this item

Icon

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record