Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction

QSpace/Manakin Repository

Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction

Show full item record


Title: Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
Author: Ilaiwi, K. F. [خالد فيصل العليوي]
Abstract: Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.استخدمت طريقة تقريبية للكت! لة الفعالة لحههاب حالات شغل الشوائب لعينات من نرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربافي المؤفى على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .
URI: http://hdl.handle.net/10576/9625
Date: 1997

Files in this item

Files Size Format View
abstract.pdf 1.740Kb PDF View/Open
abstract.doc 20Kb Microsoft Word View/Open
abstract_ar.doc 21Kb Microsoft Word View/Open
079717(2)3-fulltext.pdf 65.10Kb PDF View/Open

This item appears in the following Collection(s)

Show full item record

Search QSpace


Advanced Search

Browse

My Account