Show simple item record

AuthorEl-Kawni, M. I.
AuthorIlaiwi, K. F.
Available date2009-11-25T15:11:50Z
Publication Date1997
Publication NameQatar University Science Journal
CitationQatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230.
URIhttp://hdl.handle.net/10576/9625
AbstractVariational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented.
Languageen
PublisherQatar University
SubjectPhysics
Subjectالفيزياء
TitleEffects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction
TypeArticle
Pagination225-230
Issue Number2
Volume Number17
Alternative Abstractاستخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .


Files in this item

Icon

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record