Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction

Show simple item record

contributor.advisor El-Kawni, M. I. en_US
contributor.author Ilaiwi, K. F. [خالد فيصل العليوي] en_US
date.accessioned 2009-11-25T15:11:50Z en_US
date.available 2009-11-25T15:11:50Z en_US
date.issued 1997 en_US
identifier.citation Qatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230. en_US
identifier.uri http://hdl.handle.net/10576/9625 en_US
description.abstract Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented. en_US
description.abstract استخدمت طريقة تقريبية للكت! لة الفعالة لحههاب حالات شغل الشوائب لعينات من نرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربافي المؤفى على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز . ar
language.iso en en_US
publisher Qatar University en_US
subject Physics en_US
subject الفيزياء ar
title Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction en_US
title.alternative تأثير المجال الكهبائي والغناطيسي على طاقة ربط الشوائب غير المتجانسة لعينات من زرنيجات الجاليوم ar
type Article en_US
identifier.pagination 225-230 en_US
identifier.issue 2 en_US
identifier.volume 17 en_US


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record