Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction

Show simple item record

Author El-Kawni, M. I.
Author Ilaiwi, K. F.
Available date 2009-11-25T15:11:50Z en_US
Publication Date 1997 en_US
Publication Name Qatar University Science Journal
Citation Qatar University Science Journal, 1997, Vol. 17, No. 2, Pages 225-230. en_US
URI http://hdl.handle.net/10576/9625 en_US
Abstract Variational method within the effective — mass approximation is used to calculate the shallow impurities states in GaAs / Gai_xAl^As heteroj unctions. Modified Fang-Howard wavefunction is used as the trial wavefunction. Magnetic and electric fields effects on the impurity binding energy for the infinite and finite barrier heteroj unctions are presented. en_US
Language en en_US
Publisher Qatar University en_US
Subject Physics en_US
Subject الفيزياء ar
Title Effects of electric and magnetic fields on the energy levels of a hydrogenic impurity in GaAs/Gal-xAl x As heterjunction en_US
Type Article en_US
Pagination 225-230 en_US
Issue Number 2 en_US
Volume Number 17 en_US
Alternative Abstract استخدمت طريقة تقريبية للكتلة الفعالة لحساب حالات شغل الشوائب لعينات من زرنيخات الجاليوم والتي بها شوائب من الألومنيوم غير المتجانسة ، كما استخدم دالة فنجر هولود كدالة تجريبية ، ووجد المجال المغناطيسي والكهربائي المؤثر على طاقة ربط الشوائب في حالات التوزيع المتجانس والغير متجانس للحاجز .


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record