Variation Of The Electrical Properties Of Manganese Thin Films With Deposition Conditions

Abstract

The behaviour of the electrical properties of manganese thin films of different thickness (240 - 1500 A) evaporated under different deposition conditions was studied. The effect of the rate of evaporation (1-7 A/s), the residual gas pressure (10'5 - 10'*' Torr) and the type of residual gas (being air or pure argon) was investigated. Low deposition rates and/or high residual gas pressure resulted in higher resistance values. Using argon instead of air as residual gas enhanced the electrical conductivity.

يهدف هذا البحث إلى دواسة تأثير ظروف التبخير على الخواص الكهربية للأغشية رقيقة من معدن المنجنيزذ ات سلمك يتراوح بين 240 - 1500 أنجستروم . تم تحضير تلك الأغشية بطريقة التبخير تحت ضغوط منخفضة تتراوح قيمتها بين 10-ه - 10-6 مم زئبق حيث كان الوسط المحيط بالعينة عند التحضير إما هواء أو معبأ بغاز الأرجون ( الخامل ) . كما تم ترسيب تلك اللأغشية على سطوح زجاجية بمعدلات تبخير مختلفة تتراوح ما بين ( إلى 7 أنجستروم /ث . ولقد بينت الدرإسة أن المقاومة الكهربية لأغشية المنجنيز تقل مع زيادة معدل التبخير ومع تناقص الضعط الذي تم تحضيرها عنده . كما أن التبخيرفي وسط الأرجون يؤدي إلى إلخفاض في قيمة مقاومة الغشاء بالإضافة إلى تحسين خواص الغشاء بصفة عامة .